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台积电2纳米工艺大揭秘:性能飞跃与价格挑战

作者:小编 日期:2025-01-27 阅读量:

  

台积电2纳米工艺大揭秘:性能飞跃与价格挑战(图1)

  在旧金山刚刚落幕的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,全球晶圆代工巨头台积电揭开了其最新的2纳米(N2)制程技术的神秘面纱。这个令人瞩目的新技术不仅在性能上实现了惊人的提升,还在功耗控制方面表现出色,为整个行业注入了新的活力。

  台积电最新推出的N2制程,借助创新的纳米片技术,令人叹为观止的性能提升达到了15%,功耗却大幅下降至30%。这一切的背后离不开环绕式栅极(GAA)纳米片晶体管的支持,以及N2NanoFlex技术的优越表现,从而将晶体管的密度提高了1.15倍。这种技术巧妙地在有限的面积上集成了更多的逻辑单元,令制造商在开发新产品时游刃有余。

  台积电从传统的FinFET技术转向“纳米片”技术,则是电流控制能力的重大飞跃。新型的窄硅带结构允许制造商根据不同应用场景灵活调整设计参数,进而满足市场对性能的多样化需求。与之前的3纳米制程相比,N2制程展示了更为优越的性能。

  由于其备受瞩目的技术改进,苹果、英伟达等业界巨头均已表示有意批量采用这一新玩法。遗憾的是,随之而来的还包括价格的上涨。N2制程所需的晶圆成本预计会比目前的3纳米制程高出超过10%,初步估算价格将在2.5万至3万美元之间,确切的价格仍需等待台积电的官方定价。

  同时,由于初期良率和试生产的挑战,N2制程的初期产量或将较为有限,可能会影响它的市场普及速度。bwin必赢官方网站尽管如此,bwin必赢官方网站随着技术的日益成熟和生产工艺的不断优化,2纳米制程有望在未来逐渐成为市场的主流,推动科技行业的进一步发展。返回搜狐,查看更多


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